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氧化還原電位ORP是表征水體中氧化性物質和還原性物質多少的一種參數。氧化還原電位一般以毫伏(mV)為單位,當氧化還原電位呈正值時表示水體中含氧化性物質,當氧化還原也位負值時表示水體中含還原性物質。RO系統進水一般要求ORP200mv。

水體中的氧化物質通常是游離性氯、臭氧等,聚酰胺復合膜的耐氧化性比較差,常規膜元件要求的進水游離性氯含量不超過0.1ppm。對于ORP較高的水源必須采用活性炭吸附或投加還原劑的方法去除水體中的氧化性物質.

大多數水源溶解性二氧化硅(SiO2)的含量在1-100mg/L。過飽和SiO2能夠自動聚合形成不溶性的膠體硅或膠狀硅,引起膜的污染。Si02污染是反滲透膜元件污染中比較嚴重的一種,因為一旦發生沉淀,極難進行清除。對含Si02的水源可采取投加阻垢劑、調節PH值(SiO2在PH=7-7.8范圍溶解度Z低)、石灰純堿軟化、降低回收率,提高進水溫度等工藝處理。

一般的地下水水源呈還原態,此類原水中二價鐵離子和錳離子含量較高,易造成反滲透膜的膠體氫氧化物污堵。因為鐵氧化發生的PH值更低,使得鐵出現污堵的機會比錳污堵要高的多,對反滲透來講,在控制住鐵的污堵時錳同樣去除。反滲透對進水中鐵的要求為在溶氧5mg/L時,鐵錳含量高時,應防止整個系統與空氣或任何氧化劑接觸,防止鐵氧化后生成難溶性的膠體氫氧化物顆粒。去除鐵、錳的常用方法有:先氧化后介質過濾(曝氣加過濾除鐵)、同步氧化過濾(錳砂過濾器除鐵)等。

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